2007年，美國(guó)的CREE公司在SiC襯底上生長(zhǎng)雙異質(zhì)結(jié)，制作的器材同樣很超卓，SiC襯底可以把LED的金屬電極制作在襯底的底部，電流能夠通過(guò)低阻導(dǎo)電襯底的筆直流動(dòng)，也為開(kāi)展其它光電子器材奠定了基礎(chǔ)。

同年，日亞化學(xué)發(fā)布了下一代高功率白光LED,350mA電流輸入時(shí)光通量為1451m,發(fā)光功率為1341m/W。完成白色LED高功率化的原因是完成了所用的藍(lán)色LED芯片的高功率化。該藍(lán)色LED在350mA驅(qū)動(dòng)時(shí)的光功率為651mW,波長(zhǎng)為444nm,外部量子功率為66. 5%，WPE為60.3%。

同年，日亞投產(chǎn)發(fā)光功率達(dá)1501m/W的白色LED。該LED的功率代表當(dāng)時(shí)業(yè)界的最高水平。順向電流為20mA的種類(lèi)為1001m/W。

2009年初，CREE宣告完成了1611m /W的光效，色溫為4689K。該LED規(guī)范測(cè)驗(yàn)條件是在室溫條件，驅(qū)動(dòng)電流為350mA的情況下進(jìn)行的。

2009年末，CREE宣告其白光大功率LED光效已完成1861m/W，CREE的測(cè)驗(yàn)成果表明，當(dāng)相關(guān)色溫在4577K時(shí)，LED可產(chǎn)生1971m的光輸出。該測(cè)驗(yàn)是在室溫條件下，驅(qū)動(dòng)電流為350mA的規(guī)范測(cè)驗(yàn)環(huán)境下進(jìn)行的。

2009年初，依據(jù)日亞的實(shí)驗(yàn)室成果，LED發(fā)光功率在20mA的情況下提高到每瓦2491m,不過(guò)在一般LED產(chǎn)業(yè)常用的350mA電流情況下，發(fā)光功率卻降低到1451m/W,引發(fā)業(yè)界重視。

2011年，歐司朗研制工程師通過(guò)全面改進(jìn)與LED制作相關(guān)的所有技能，在實(shí)驗(yàn)室測(cè)驗(yàn)中，新研制的白光LED刷新了該公司亮度和發(fā)光功率的紀(jì)錄。在工作電流為350mA的規(guī)范條件下，LED亮度最高可以到達(dá)1551m,而發(fā)光功率更是高達(dá)1361m/W。白光LED原型采用的是1m㎡芯片，所發(fā)射的光線(xiàn)色溫為5000K，色度坐標(biāo)為0.349/0.393 （Cx/Cy）。

2012年，CREE公司宣告其白光LED光效突破231lm/W,該公司使用了一個(gè)單模塊組件，在色溫4500K、規(guī)范測(cè)驗(yàn)室溫度350mA下，測(cè)得白光LED光效達(dá)2311m/W。

目前LED的各項(xiàng)目標(biāo)仍在不斷開(kāi)展傍邊，跟著應(yīng)用領(lǐng)域和標(biāo)識(shí)行業(yè)的拓展，對(duì)LED燈珠的要求也逐步多樣化。一起，技能的進(jìn)步不單單體現(xiàn)在參數(shù)目標(biāo)上，在成本上也在逐年下降。